2024-07-17 UBIリサーチ
量子ドット(QD)技術は、SonyとサムスンがQD色変換素材をPremium LCD-TVに適用した後、Cd-free QDの商用化、Mini LEDとQDの適用、QD-OLED TVなどPremium TVの主流技術として活用され、ディスプレイ産業で注目されている。 また、高解像度マイクロディスプレイ、大型テレビ等の次世代ディスプレイとしてのアプリケーション拡張のための素子寿命と安定性改善、環境親和的な素材開発、高効率と低コストディスプレイ技術が開発されており、自発光QD-LEDとPerovskite QD開発など未来ディスプレイ産業の基礎技術開発も活発に行われている。
UBIリサーチが発刊した「量子ドットのディスプレイ応用技術開発動向レポート」では次のような内容を扱います:
1. 材料の観点から色変換素子と液晶バックライトからの応用
2. In Pixel Color Conversion技術の応用と開発動向(QD-OLED、Micro LED Display)
3. QD-LED技術開発動向、Blue QD-LED開発と非Cd系Red QD-LEDの開発分析
4. QD-LEDの素子構造と工程分析
5. White発光QD-LEDとPerovskiteQD-LED技術開発動向分析
材料の観点から環境および健康問題によってCd-free QDの開発が活発に進められているが、特にインジウム化物(InP)基盤のQDが商用化され、サムスンの最新QLED TVおよびQD-OLED TVに適用されている。
色変換素子としてのPerovskite QDは高い光効率性と狭い発光スペクトルによって注目されており、最近の研究ではPerovskite QDの安定性を高め、毒性問題を解決するための多様なアプローチが試みられている。 このような技術は、4Kと8K超高解像度ディスプレイの色再現率を向上させるのに大きな役割が期待されている。
QD-LEDは最近数年間、商用化のための進展を遂げ、サムスンと中国のBOEなどがフルカラーQD-LEDディスプレイプロトタイプを発表したことで、QD-LEDが今後OLEDと競争できる重要な技術と評価されている。
QD技術は優れた画質を実現し、プレミアムテレビ市場をリードしている。 また、高い量子効率と色純度を利用して鮮明で躍動感あふれる画面を提供し、未来のディスプレイ革新を導く重要な技術として位置づけられている。
「量子ドットのディスプレイ応用技術開発動向レポート」の販売は分析工房が行います。レポートはPDFかPPTの日本語版で95ページです。日本語版レポートの消費税別の価格は、
1) PDF-1（編集・印刷不可）版：380,000円
2) PDF-2（編集・印刷可能）版：490,000円
3) PPT（パワーポイント）版 ：630,000円
です。この機会に是非とも分析工房にお問合せ下さい。
目次
1. Quantum Dot 開発と事業化の経緯
1.1 Quantum Dot 開発の歴史
1.2 CdSe Quantum Dot
1.3 非 Cd 系 Quantum Dot
1.4 Perovskite Quantum Dot
1.5 各種 QD の特性まとめ
1.6 ⅠⅢ Ⅳ Quantum Dot
2. 色変換素子への応用
2.1 色変換材料としての QD
2.2 液晶バックライトへの応用
2-2-1 エッジライト型バックライトへの応用形態
2-2-2 直下型バックライトでの応用形態
2-2-3 Mini LED バックライト用色変換材料
2-2-4 Perovskite QD を用いた Mini LED LCD
2.3 画素内色変換（ In Pixel Color Conversion ）
2-3-1 要約
2-3-2 画素内色変換の実用化例：QD OLED
2-3-3 画素内色変換における課題と対策
2-3-4 QD パターン化プロセス
2-3-5 Micro LED Micro Display の画素内色変換
2.4 Micro LED Micro Display の画素内色変換試作例
2-4-1 Sharp
2-4-2 BOE
2-4-3 Mojo Vision
2-5 Micro LED Micro Display の画素内色変換応用まとめ
3. QD-LED 技術開発動向
3.1 要約
3.2 QD-LED 特性の進化と現状
3-2-1 Overview
3-2-2 非Cd系 QD-LEDと Cd系 QD LEDの特性比較
3-2-3 非Cd系 QD-LED 特性の進化
3-2-4 QD-LED の劣化要因
3.3 Blue QD-LED の開発
3-3-1 ZnSe/ZnS QD-LED の長波長化
3-3-2 ZnSe/ZnS QD-LED の反応性制御エピタキシャル成長による長波長化
3-3-3 ZnSe/ZnS QD-LEDの長波長化と更なる特性改善
3-3-4 Core/Shell 構造設計による特性改善
3-3-5 QD 保護技術による特性改善
3.4 非 Cd 系 Red QD-LEDの開発
3-4-1 デバイス設計 による非Cd系 Red QD-LEDの特性改善
3-4-2 非Cd系 Red QD-LED の寿命解析
3.5 QD-LED デバイス構造
3-5-1 Inverted
3-5-2 ZnO ETL層
3-5-3 New HTL層
3-5-4 Top Emission
3-5-5 Tandem
3-5-6 Meta surface によるフルカラー化
3-5-7 今後の QD-LED の更なる性能向上に向けて
3.6 QD-LED プロセス
3-6-1 Spin Coating
3-6-2 Inkjet Printing
3-6-3 EHD Printing
3-6-4 UV Lithography
3-6-5 転写 Micro Contact Printing
3.7 QD-LED ディスプレイ試作
3-7-1 BOE
3-7-2 Sharp
3-7-3 Samsung Display
3.8 White 発光 QD-LED
3.9 Perovskite QD-LED
3-9-1 EQE の進化
3-9-2 Ligand Exchange による EQE改善
3-9-3 ETL による特性改善
3-9-4 今後の課題
3-9-5 課題への対策：Blue Perovskite の高効率化
